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[发明专利]一种优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法-CN202010802375.5有效
发明人：付欣欣;于世瑞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种优化OPC中曝光辅助图形的方法，主要包括：生成光阻模型，在待优化的曝光图形中增加曝光辅助图形，并对比增加前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸；若满足条件，则对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值，若满足条件，则输出曝光辅助图形的设置规则。通过对比增加曝光辅助图形前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸可以筛选出对曝光图形曝光有益的曝光辅助图形的设置规则；对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值可以确保曝光辅助图形不会成像通过简单的计算就可以将符合要求的曝光辅助图形规则提取出来，解决了现有技术中曝光辅助图形规则不易提取且计算量大的问题。
一种优化光学邻近效应修正曝光辅助图形方法

[发明专利]一种双重曝光的对位方法-CN202110863323.3在审
发明人：王绪胜 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种双重曝光的对位方法，该方法包括：对目标物进行一次曝光，以在目标物上形成第一曝光图形，第一曝光图形具有第一对位点；对目标物进行二次曝光，二次曝光基于第一对位点，以在目标物上形成第二曝光图形，第二曝光图形与第一曝光图形重合。通过对目标物进行一次曝光以形成第一曝光图形，在第一曝光图形上设置第一对位点，基于该第一对位点对该目标进行二次曝光并形成第二曝光图形，以使得第二曝光图形与第一曝光图形重合。该对位方法快速准确。
一种双重曝光对位方法

[发明专利]曝光方法-CN201310222163.X有效
发明人：倪百兵;曹轶宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光方法，所述曝光方法包括：提供待曝光图案，所述待曝光图案具有若干图形，且所述待曝光图案具有两种不同间距的所述图形；提供伪辅助图案，所述伪辅助图案包括若干数量的辅助图形，相邻辅助图形的间距相同；获取所述辅助图形的宽度和相邻辅助图形的间距；当所述相邻图形的间距大于或等于临界尺寸时，确定所述相邻图形之间的区域为填充区，所述填充区边缘的图形为孤立图形；在所述待曝光图案的填充区内填充所述辅助图案，形成伪待曝光图形；根据所述伪待曝光图形形成第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形分别作为双重图形化曝光的两套掩膜图形。所述曝光方法可以提高刻蚀图形的准确性。
曝光方法

[发明专利]曝光机的曝光图形的处理方法、装置及曝光机-CN202010631694.4在审
发明人：项宗齐 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种曝光机的曝光图形的处理方法、装置及曝光机，方法包括：对待曝光图形进行分段，得到多个具有预设长度的分段图形，每个分段图形均具有对准标记，预设长度为曝光机的一次曝光长度；若在当前曝光阶段之前不存在上一曝光阶段，则直接对当前曝光阶段的分段图形进行曝光；若在当前曝光阶段之前存在上一曝光阶段，则根据上一曝光阶段的分段图像与当前曝光阶段的分段图形的对准标记，对当前曝光阶段的分段图形进行位置校正，并对校正后的分段图形进行曝光，迭代执行该步骤，直至完成所有分段图形的位置校正及曝光。本发明在分段加工图像时，后段图形能够与前段图像通过对准标记进行精准对位，从而提高曝光精度，进而保证产品质量。
曝光图形处理方法装置

[发明专利]光学近距修正的方法-CN200710040245.7有效
发明人：刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光学近距修正的方法，包括：对待曝光辅助图形的临界尺寸范围采样取值，获得临界尺寸范围离散值，对待曝光辅助图形与待曝光图形的距离范围采样取值，获得距离范围离散值；将所有的临界尺寸范围离散值与所有距离范围离散值进行组合形成离散值组合对；选取离散值组合对，根据与待曝光图形的距离取值，将对应的待曝光辅助图形放入待曝光图形周围；对待曝光图形进行光学近距修正；仿真待曝光图形在失焦和曝光能量偏移情况下在晶圆上的边缘布置误差；选取边缘布置误差最小的离散值组合对，将对应的待曝光辅助图形与待曝光图形转移至光罩上。经上述步骤，选取与待曝光图形距离最佳且临界尺寸最佳的待曝光辅助图形需要的时间短。
光学近距修正方法

[发明专利]高压MOS晶体管的制作方法-CN200610119156.7有效
发明人：蔡巧明;辛春艳;卢普生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种高压MOS晶体管的制作方法，包括下列步骤：在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图形凸出；将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成多晶硅层；在待曝光栅极图形中形成待曝光开口图形；将待曝光栅极图形和待曝光开口图形转移至多晶硅层上
高压 mos 晶体管制作方法

[发明专利]获取掩膜版最优物平面方法和光学邻近修正方法及掩膜版-CN202010074597.X在审
发明人：柏锋;张婉娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种掩膜版、获取掩膜版最优物平面的方法以及光学邻近修正的方法，获取最优物平面的方法包括：提供掩膜版信息，掩膜版信息包括若干物平面信息和掩膜版图形，掩膜版图形包括：主图形区和位于主图形区之间的辅助图形区；在第一区设置第一辅助图形；在第二区设置第二辅助图形；在第三区设置若干第三辅助图形；对掩膜版图形进行模拟曝光获取曝光图形，包括：第一曝光图形、第二曝光图形和第三曝光图形；通过第一曝光图形、第二曝光图形和第三曝光图形获取平均偏移量；获取物平面信息与曝光偏移量的关系模型；采用物平面信息与曝光偏移量的关系模型，通过平均偏移量获取最优物平面。
获取掩膜版最优平面方法光学邻近修正

[发明专利]一种电子束曝光方法及装置-CN202310859215.8在审
发明人：韦亚一;徐剑;丁虎文;杨尚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电子束曝光方法及装置，方法包括：获取曝光图形，根据曝光图形的尺寸确定参考网格包括的多个单元格的尺寸，将曝光图形设置在单元格的中心位置，其中，单元格的尺寸为电子束曝光的写场尺寸。设置参考矩形，参考矩形和参考网格的相对位置固定，这样就能够确定进行电子束曝光时多个写场的位置，从而将曝光图形设置在电子束曝光的写场的中心位置，使得全部的曝光图形能在每个写场的中心位置曝光，实现最佳的曝光效果，降低由于曝光图形曝光位置偏移从而导致的曝光形成的图形的尺寸不准确的概率，提高曝光图形的尺寸精确性。
一种电子束曝光方法装置

[发明专利]带电粒子束曝光方法和在晶片上形成图形的方法-CN98100909.3无效
发明人：依马贵弘 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-03-13 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：带电粒子束曝光方法中，用局部全场曝光的孔掩模，进行图形曝光，以便没有重叠，从而形成大量传递图形。如此做时，曝光量为能够形成图形的曝光量的1/2。然后，改变镜头位置，以便曝光位置与先前的曝光位置重叠，进行曝光形成下一传递图形。如此做时，曝光量也为形成图形所需量的1/2。以此方式，随着曝光位置的移动，每每进行两次曝光，每次的曝光量皆为1/2。
带电粒子束曝光方法晶片形成图形

[发明专利]一种建立辅助图形曝光模型的方法-CN201811591848.0在审
发明人：卢意飞 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种建立辅助图形曝光模型的方法，包括以下步骤：步骤S01：设计测试图形，所述测试图形包含标准图形和辅助图形；步骤S02：收集在线线宽量测数据及辅助图形曝光数据；步骤S03：建立测试图形版图与线宽量测数据及辅助图形曝光数据之间的对应文件；步骤S04：基于机器学习进行辅助图形曝光模型拟合运算，建立辅助图形曝光模型；步骤S05：输出辅助图形曝光模型，进行OPC图形修正与验证。本发明可以获得准确性更高的辅助图形曝光模型。
辅助图形曝光模型测试图形量测数据曝光数据线宽标准图形对应文件基于机器设计测试图形修正拟合运算验证输出学习

[发明专利]一种多重曝光方法-CN201510000339.6有效
发明人：张家锦 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种多重曝光方法，其特征在于，多重曝光工艺层包含n组图形并进行n次曝光，每次曝光前先进行图形对准，所述图形中包含对准标记，其中，第1次曝光的图形对准前层工艺层；第2次曝光的图形对准第1层图形的对准标记；之后第n次曝光的图形对准第1至n‑1次曝光所形成的共（n‑1）组对准标记，其中n>2，n是自然数。
一种多重曝光方法

[发明专利]一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置-CN202210260750.7在审
发明人：张香兰;张叶;杜旭;谷民东;高繁星 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置，检测方法包括：通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光，在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜，照射到晶圆上；对执行多次曝光后的晶圆进行显影，获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形；针对每个图形，确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形，将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置；根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置本申请通过多次曝光得到最清晰的曝光图形所在位置来获得物镜焦平面倾斜值，简化焦面倾斜检测过程，提高检测效率。
一种基于曝光系统物镜平面倾斜检测方法装置

[发明专利]电子束曝光方法-CN200610026324.8有效
发明人：李正强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-30 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：首先将预存于电子控制装置内的产品设计图形分区；继而对不同分区内的图形单独曝光。所述产品设计图形包括复数个目标图形和辅助图形；所述复数个目标图形和辅助图形之间无固定相对位置；对所述不同分区内的图形单独曝光时施行不同的曝光次数；所述辅助图形分区的曝光次数小于目标图形分区曝光次数；所述各图形分区曝光量的总和相等采用本发明方法，有效地降低了曝光时间，同时提高了生产效率，并降低了成本。
电子束曝光方法

[发明专利]OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质-CN202111562568.9在审
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质，建立方法包括：提供测试图形；根据测试图形获得测试光罩；对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的测试点和多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；根据实际曝光图形和模拟曝光图形，确定实际曝光图形和模拟曝光图形的误差
opc 模型及其建立方法系统设备存储介质

[发明专利]确定SRAF曝光时的光强阈值的方法-CN202210894669.4在审
发明人：孙晓雁;汪悦;张月雨 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种确定SRAF曝光时的光强阈值的方法，方法包括：于测试版图中选出添加有SRAF的目标图形；设定光刻机曝光时的能量‑焦距矩阵，对测试版图掩膜版进行曝光以得到曝光图形矩阵；判断曝光图形矩阵中是否存在曝光所述SRAF的第一曝光图形，若判断结果为是，获取第一曝光图形所对应的能量，并通过光学量测获取所述能量下目标图形的特征尺寸随焦距的变化曲线；根据目标图形的特征尺寸与预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述SRAF的第二曝光图形，并根据第二曝光图形的曝光参数得到SRAF曝光的光强阈值。
确定 sraf 曝光阈值方法

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